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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IPS05N03LB G
Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 40µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 5 mOhm @ 60A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Altri nomi | IPS05N03LB G-ND IPS05N03LBG IPS05N03LBGX SP000220140 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 90A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |