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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard APTC60DSKM35T3G
Vgs (th) (max) a Id | 3.9V @ 5.4mA |
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Contenitore dispositivo fornitore | SP3 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 35 mOhm @ 72A, 10V |
Potenza - Max | 416W |
imballaggio | Bulk |
Contenitore / involucro | SP3 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Chassis Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 518nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 72A 416W Chassis Mount SP3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 72A |