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SCT10N120
- Mega fonte #: MEGA-SCT10N120
- fabbricante: STMicroelectronics
- Confezione: Tube
- Descrizione: MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 569
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SCT10N120
| Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | HiP247™ |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 690 mOhm @ 6A, 20V |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | 497-16597-5 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 20V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 1200V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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