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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SI2312-TP
Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 41 mOhm @ 4.3A, 1.8V |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Altri nomi | SI2312-TPMSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 22 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 865pF @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 5A (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |