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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-RFA2G35S200-01SR3

L'etichetta e la marcatura del corpo di A2G35S200-01SR3 possono essere fornite dopo l'ordine.

A2G35S200-01SR3

Mega fonte #: MEGA-A2G35S200-01SR3
fabbricante: Freescale / NXP Semiconductors
Confezione:
Descrizione: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
A norma RoHS:
Datasheet:

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Specifiche

Componenti del circuito integrato di imballaggio standard A2G35S200-01SR3

Tensione - Prova 48V
Tensione - nominale 125V
Tipo transistor LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore NI-400S-2S
Serie -
Alimentazione - uscita 180W
Contenitore / involucro NI-400S-2S
Altri nomi 935320919118
Figura di rumore -
Guadagno 16.1dB
Frequenza 3.4GHz ~ 3.6GHz
Descrizione dettagliata RF Mosfet LDMOS 48V 291mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S
Valutazione attuale -
Corrente - Test 291mA

FAQ A2G35S200-01SR3

FI nostri prodotti di buona qualità?C'è garanzia di qualità?
QI nostri prodotti attraverso uno screening rigoroso, per garantire che gli utenti acquistino prodotti autentici e assicurati, se ci sono problemi di qualità, possono essere restituiti in qualsiasi momento!
FLe società di MEGA SOURCE sono affidabili?
QSiamo stati fondati da più di 20 anni, concentrandoci sul settore elettronico e ci impegniamo a fornire agli utenti i prodotti IC di migliore qualità
FChe ne dici del servizio post-vendita?
QPiù di 100 team di assistenza clienti professionale, 7*24 ore per rispondere a tutti i tipi di domande
FÈ un agente?O un intermediario?
QMEGA SOURCE è l'agente di origine, eliminando l'intermediario, riducendo il prezzo del prodotto nella massima misura e a beneficio dei clienti

20

Competenza del settore

100

Ordini di qualità controllata

2000

Clienti

15.000

Magazzino in stock
MegaSource Co., LTD.