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SI7949DP-T1-GE3
- Mega fonte #: MEGA-SI7949DP-T1-GE3
- fabbricante: Electro-Films (EFI) / Vishay
- Confezione: Tape & Reel (TR)
- Descrizione: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 51658
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SI7949DP-T1-GE3
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 64 mOhm @ 5A, 10V |
| Potenza - Max | 1.5W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi | SI7949DP-T1-GE3TR SI7949DPT1GE3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A |
| Numero di parte base | SI7949 |
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