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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard RN1104MFV,L3F
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
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Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
Contenitore dispositivo fornitore | VESM |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Potenza - Max | 150mW |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | SOT-723 |
Altri nomi | RN1104MFV(TL3T)CT RN1104MFV(TL3T)CT-ND RN1104MFVL3FCT |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |