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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IRF6215L
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-262 |
Serie | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 290 mOhm @ 6.6A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Altri nomi | *IRF6215L |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 150V |
Descrizione dettagliata | P-Channel 150V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |