MKE38RK600DFELB Vantaggio dei prezzi per la spedizione immediata dal distributore di stock, MKE38RK600DFELB Inventory & Data fogli

Descrizione del prodotto

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Specifiche

Componenti del circuito integrato di imballaggio standard MKE38RK600DFELB

Vgs (th) (max) a Id	3.5V @ 3mA
Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	ISOPLUS-SMPD™.B
Serie	CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs	45 mOhm @ 44A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	-
imballaggio	Tray
Contenitore / involucro	9-SMD Module
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 50A (Tc) Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)

Vgs (th) (max) a Id

3.5V @ 3mA

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Contenitore dispositivo fornitore

ISOPLUS-SMPD™.B

Serie

CoolMOS™

Rds On (max) a Id, Vgs

45 mOhm @ 44A, 10V

Dissipazione di potenza (max)

imballaggio

Tray

Contenitore / involucro

9-SMD Module

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo montaggio

Surface Mount

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Tipo FET

N-Channel

Caratteristica FET

Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Tensione drain-source (Vdss)

600V

Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 50A (Tc) Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B

Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

FAQ MKE38RK600DFELB

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28. Hardware, dispositivi di fissaggio, accessori
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