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PMWD30UN,518
- Mega fonte #: MEGA-PMWD30UN,518
- fabbricante: Freescale / NXP Semiconductors
- Confezione: Cut Tape (CT)
- Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard PMWD30UN,518
| Vgs (th) (max) a Id | 700mV @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 33 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Potenza - Max | 2.3W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi | 568-2364-1 PMWD30UN518 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1478pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
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