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EPC8002ENGR
- Mega fonte #: MEGA-EPC8002ENGR
- fabbricante: EPC
- Confezione: Tray
- Descrizione: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 57203
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard EPC8002ENGR
| Tensione - Prova | 21pF @ 32.5V |
|---|---|
| Tensione - Ripartizione | Die |
| Vgs (th) (max) a Id | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Serie | eGaN® |
| Stato RoHS | Tray |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2A (Ta) |
| Polarizzazione | Die |
| Altri nomi | 917-EPC8002ENGR EPC8002ENGI |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | EPC8002ENGR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 0.14nC @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 65V |
| rapporto di capacità | - |
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