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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard C3M0075120J
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 5mA |
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Vgs (Max) | +19V, -8V |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK-7 |
Serie | C3M™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
Dissipazione di potenza (max) | 113.6W (Tc) |
imballaggio | Bulk |
Contenitore / involucro | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 26 Weeks |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 15V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Tensione drain-source (Vdss) | 1200V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 1200V 30A (Tc) 113.6W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |