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IDH10G65C5XKSA1
- Mega fonte #: MEGA-IDH10G65C5XKSA1
- fabbricante: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Confezione: Bulk
- Descrizione: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 254
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IDH10G65C5XKSA1
| Tensione - Picco inversa (max) | Silicon Carbide Schottky |
|---|---|
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 10A (DC) |
| Tensione - Ripartizione | PG-TO220-2 |
| Serie | thinQ!™ |
| Stato RoHS | Bulk |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistenza a If, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Polarizzazione | TO-220-2 |
| Altri nomi | IDH10G65C5 IDH10G65C5-ND SP000925208 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | 0ns |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | IDH10G65C5XKSA1 |
| Descrizione espansione | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
| Configurazione diodo | 340µA @ 650V |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 1.7V @ 10A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) | 650V |
| Capacità a Vr, F | -55°C ~ 175°C |
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