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IXDI602SI
- Mega fonte #: MEGA-IXDI602SI
- fabbricante: IXYS Integrated Circuits Division
- Confezione: Tube
- Descrizione: 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 54135
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IXDI602SI
| Tensione di alimentazione - | 4.5 V ~ 35 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC-EP |
| Serie | - |
| Tempo di salita / scadenza (Typ) | 7.5ns, 6.5ns |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenza di ingresso | 2 |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 7 Weeks |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso | Inverting |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Descrizione dettagliata | Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP |
| Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) | 2A, 2A |
| Base-Emitter Tensione di saturazione (max) | Independent |
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