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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard PDTA113EMB,315
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
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Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
Contenitore dispositivo fornitore | DFN1006B-3 |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Potenza - Max | 250mW |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 3-XFDFN |
Altri nomi | 934065918315 |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione | 180MHz |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 40mA, 5V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
Numero di parte base | PDTA113 |