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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard 2N7639-GA
Vgs (th) (max) a Id | - |
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Vgs (Max) | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-257 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 105 mOhm @ 15A |
Dissipazione di potenza (max) | 172W (Tc) |
imballaggio | Bulk |
Contenitore / involucro | TO-257-3 |
Altri nomi | 1242-1150 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1534pF @ 35V |
Tipo FET | - |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
Descrizione dettagliata | 650V 15A (Tc) (155°C) 172W (Tc) Through Hole TO-257 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) (155°C) |