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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard DS1225AB-200
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 200ns |
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Tensione di alimentazione - | 4.75 V ~ 5.25 V |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Contenitore dispositivo fornitore | 28-EDIP |
Serie | - |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Altri nomi | DS1225AB200 |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Formato di memoria | NVSRAM |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Descrizione dettagliata | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP |
Numero di parte base | DS1225A |
Tempo di accesso | 200ns |