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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard TPCC8002-H(TE12LQM
Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Serie | U-MOSV-H |
Rds On (max) a Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 11A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
Altri nomi | TPCC8002-H(TE12LQMCT TPCC8002HTE12LQM |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta) |