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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard CXDM6053N TR
Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | 20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | SOT-89 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 41 mOhm @ 5.3A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-243AA |
Altri nomi | CXDM6053N TR LEAD FREE CXDM6053N TR PBFREE CXDM6053N TR-ND CXDM6053NTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 30V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 5.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |