CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSPD06N60C3BTMA1
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SPD06N60C3BTMA1
- Mega fonte #: MEGA-SPD06N60C3BTMA1
- fabbricante: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Confezione: Digi-Reel®
- Descrizione: MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 53943
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SPD06N60C3BTMA1
| Vgs (th) (max) a Id | 3.9V @ 260µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 750 mOhm @ 3.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | SPD06N60C3BTMA1DKR SPD06N60C3INDKR SPD06N60C3INDKR-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Tc) |
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