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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard TPH3208PD
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
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Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 |
Serie | - |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-220-3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 20A (Tc) Through Hole TO-220 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |