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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard CSD19538Q2
Vgs (th) (max) a Id | 3.8V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 6-WSON (2x2) |
Serie | NexFET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 59 mOhm @ 5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 6-WDFN Exposed Pad |
Altri nomi | 296-47322-1 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 35 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 454pF @ 50V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 14.4A (Ta) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 14.4A (Ta) |