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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard VN3205N3-G-P002
Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 10mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 300 mOhm @ 3A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 5 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 50V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 50V 1.2A (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.2A (Tj) |