CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzatoRN1131MFV(TL3,T)
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RN1131MFV(TL3,T)
- Mega fonte #: MEGA-RN1131MFV(TL3,T)
- fabbricante: TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
- Confezione: Tape & Reel (TR)
- Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard RN1131MFV(TL3,T)
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | VESM |
| Serie | - |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Potenza - Max | 150mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-723 |
| Altri nomi | RN1131MFV(TL3T)TR RN1131MFVTL3T |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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