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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard DTDG23YPT100
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 60V |
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Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 500mA |
Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
Contenitore dispositivo fornitore | MPT3 |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Potenza - Max | 1.5W |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-243AA |
Altri nomi | DTDG23YPT100-ND DTDG23YPT100TR |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione | 80MHz |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60V 1A 80MHz 1.5W Surface Mount MPT3 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 300 @ 500mA, 2V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 1A |
Numero di parte base | DTDG23 |