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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard TP90H180PS
Vgs (th) (max) a Id | 2.6V @ 500µA |
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Vgs (Max) | ±18V |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 205 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-220-3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 600V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 8V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 900V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 900V 15A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |