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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IPP80R1K4P7XKSA1
Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 70µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-220-3 |
Altri nomi | SP001422718 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 500V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | Super Junction |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |