CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzatoEMF8T2R
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EMF8T2R
- Mega fonte #: MEGA-EMF8T2R
- fabbricante: LAPIS Technology
- Confezione: Tape & Reel (TR)
- Descrizione: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 53941
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard EMF8T2R
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V, 12V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Tipo transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore | EMT6 |
| Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Potenza - Max | 150mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 250MHz, 320MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA, 500mA |
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FAQ EMF8T2R
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