SPW47N60C3FKSA1 Vantaggio dei prezzi per la spedizione immediata dal distributore di stock, SPW47N60C3FKSA1 Inventory & Data fogli

SPW47N60C3FKSA1

Mega fonte #: MEGA-SPW47N60C3FKSA1

fabbricante: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Confezione: Tube

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme

Datasheet:

La nostra certificazione

Descrizione del prodotto

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Specifiche

Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SPW47N60C3FKSA1

Vgs (th) (max) a Id	3.9V @ 2.7mA
Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	PG-TO247-3
Serie	CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs	70 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	415W (Tc)
imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3
Altri nomi	SP000013953 SPW47N60C3 SPW47N60C3IN SPW47N60C3IN-ND SPW47N60C3X SPW47N60C3XK SPW47N60C3XTIN SPW47N60C3XTIN-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	320nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	47A (Tc)

Vgs (th) (max) a Id

3.9V @ 2.7mA

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Serie

CoolMOS™

Rds On (max) a Id, Vgs

70 mOhm @ 30A, 10V

Dissipazione di potenza (max)

415W (Tc)

imballaggio

Tube

Contenitore / involucro

TO-247-3

Altri nomi

SP000013953
SPW47N60C3
SPW47N60C3IN
SPW47N60C3IN-ND
SPW47N60C3X
SPW47N60C3XK
SPW47N60C3XTIN
SPW47N60C3XTIN-ND

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo montaggio

Through Hole

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V

Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

320nC @ 10V

Tipo FET

N-Channel

Caratteristica FET

Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Tensione drain-source (Vdss)

650V

Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

47A (Tc)

FAQ SPW47N60C3FKSA1

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