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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard NTMFS4825NFET3G
Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 2 mOhm @ 22A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 950mW (Ta), 96.2W (Tc) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Altri nomi | NTMFS4825NFET3GOSCT |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5660pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40.2nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 17A (Ta), 171A (Tc) 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta), 171A (Tc) |