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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard RT1E040RPTR
Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSST |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 45 mOhm @ 4A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 550mW (Ta) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
Altri nomi | RT1E040RPCT RT1E040RPTRCT RT1E040RPTRCT-ND |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 4A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount 8-TSST |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |