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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard BSS139H6327XTSA1
Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 56µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 14 Ohm @ 100µA, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Altri nomi | BSS139 H6327 BSS139 H6327-ND BSS139 H6327TR-ND BSS139H6327 BSS139H6327XTSA1TR SP000702610 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 76pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 250V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 250V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |