IPL60R199CPAUMA1 Vantaggio dei prezzi per la spedizione immediata dal distributore di stock, IPL60R199CPAUMA1 Inventory & Data fogli

IPL60R199CPAUMA1

Mega fonte #: MEGA-IPL60R199CPAUMA1

fabbricante: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Confezione: Cut Tape (CT)

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON

A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme

Datasheet:

La nostra certificazione

Descrizione del prodotto

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Specifiche

Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IPL60R199CPAUMA1

Vgs (th) (max) a Id	3.5V @ 660µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	PG-VSON-4
Serie	CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs	199 mOhm @ 9.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	139W (Tc)
imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	4-PowerTSFN
Altri nomi	IPL60R199CPAUMA1CT IPL60R199CPCT IPL60R199CPCT-ND
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	2A (4 Weeks)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1520pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 16.4A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	16.4A (Tc)

Vgs (th) (max) a Id

3.5V @ 660µA

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Contenitore dispositivo fornitore

PG-VSON-4

Serie

CoolMOS™

Rds On (max) a Id, Vgs

199 mOhm @ 9.9A, 10V

Dissipazione di potenza (max)

139W (Tc)

imballaggio

Cut Tape (CT)

Contenitore / involucro

4-PowerTSFN

Altri nomi

IPL60R199CPAUMA1CT
IPL60R199CPCT
IPL60R199CPCT-ND

temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo montaggio

Surface Mount

Moisture Sensitivity Level (MSL)

2A (4 Weeks)

Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1520pF @ 100V

Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Tipo FET

N-Channel

Caratteristica FET

Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Tensione drain-source (Vdss)

650V

Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 16.4A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

16.4A (Tc)

FAQ IPL60R199CPAUMA1

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