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SIHD6N62E-GE3
- Mega fonte #: MEGA-SIHD6N62E-GE3
- fabbricante: Vishay / Siliconix
- Confezione: Tape & Reel (TR)
- Descrizione: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 52377
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SIHD6N62E-GE3
| Tensione - Prova | 578pF @ 100V |
|---|---|
| Tensione - Ripartizione | D-PAK (TO-252AA) |
| Vgs (th) (max) a Id | 900 mOhm @ 3A, 10V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | - |
| Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 6A (Tc) |
| Polarizzazione | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 19 Weeks |
| codice articolo del costruttore | SIHD6N62E-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 34nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 250µA |
| Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 620V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
| Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 620V 6A TO-252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 620V |
| rapporto di capacità | 78W (Tc) |
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