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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IRFR18N15DTRR
Tensione - Prova | 900pF @ 25V |
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Tensione - Ripartizione | D-Pak |
Vgs (th) (max) a Id | 125 mOhm @ 11A, 10V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie | HEXFET® |
Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
Rds On (max) a Id, Vgs | 18A (Tc) |
Polarizzazione | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore | IRFR18N15DTRR |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 43nC @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5V @ 250µA |
Caratteristica FET | N-Channel |
Descrizione espansione | N-Channel 150V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Tensione drain-source (Vdss) | - |
Descrizione | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 150V |
rapporto di capacità | 110W (Tc) |