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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard CSD25202W15
Vgs (th) (max) a Id | 1.05V @ 250µA |
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Vgs (Max) | -6V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 9-DSBGA |
Serie | NexFET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 26 mOhm @ 2A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 9-UFBGA, DSBGA |
Altri nomi | 296-39837-2 CSD25202W15-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 9-DSBGA |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |