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APT50GP60B2DQ2G
- Mega fonte #: MEGA-APT50GP60B2DQ2G
- fabbricante: Microsemi
- Confezione: Tube
- Descrizione: IGBT 600V 150A 625W TMAX
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 53637
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard APT50GP60B2DQ2G
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 600V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Condizione di test | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C | 19ns/85ns |
| di scambio energetico | 465µJ (on), 635µJ (off) |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Potenza - Max | 625W |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-247-3 Variant |
| Altri nomi | APT50GP60B2DQ2GMI APT50GP60B2DQ2GMI-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Tipo IGBT | PT |
| carica gate | 165nC |
| Descrizione dettagliata | IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm) | 190A |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 150A |
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