CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzatoPQMD2Z
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PQMD2Z
- Mega fonte #: MEGA-PQMD2Z
- fabbricante: Nexperia
- Confezione: Tape & Reel (TR)
- Descrizione: TRANS NPN/PNP RET 6DFN
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 56067
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard PQMD2Z
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DFN1010B-6 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Potenza - Max | 230mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Altri nomi | 1727-2712-2 568-13233-2 568-13233-2-ND 934069746147 PQMD2Z-ND |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 230MHz, 180MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 1µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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