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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard AUIRF8739L2TR
Vgs (th) (max) a Id | 3.9V @ 250µA |
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Vgs (Max) | 40V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | DIRECTFET L8 |
Serie | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 0.6 mOhm @ 195A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 340W (Tc) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | DirectFET™ Isometric L8 |
Altri nomi | AUIRF8739L2CT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 17890pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 562nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 57A (Ta), 545A (Tc) 3.8W (Ta), 340W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 57A (Ta), 545A (Tc) |