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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IRLHS6342TRPBF
Vgs (th) (max) a Id | 1.1V @ 10µA |
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Vgs (Max) | ±12V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 6-PQFN (2x2) |
Serie | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 6-PowerVDFN |
Altri nomi | IRLHS6342TRPBF-ND IRLHS6342TRPBFTR SP001573840 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1019pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8.7A (Ta), 19A (Tc) |