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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard TK62J60W,S1VQ
Vgs (th) (max) a Id | 3.7V @ 3.1mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-3P(N) |
Serie | DTMOSIV |
Rds On (max) a Id, Vgs | 38 mOhm @ 30.9A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 400W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
Altri nomi | TK62J60W,S1VQ(O TK62J60WS1VQ |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 300V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | Super Junction |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 61.8A (Ta) |