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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IXFN360N15T2
Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 8mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | SOT-227B |
Serie | GigaMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 4 mOhm @ 60A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 1070W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | SOT-227-4, miniBLOC |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Chassis Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 24 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 47500pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 715nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 150V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 150V 310A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 310A (Tc) |