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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard CSD13303W1015
Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 6-DSBGA |
Serie | NexFET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max) | 1.65W (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 6-UFBGA, DSBGA |
Altri nomi | 296-39990-2 CSD13303W1015-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 35 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 715pF @ 6V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 12V 31A (Ta) 1.65W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Ta) |