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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SPD15P10PLGBTMA1
Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1.54mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 200 mOhm @ 11.3A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 128W (Tc) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi | SPD15P10PL GCT SPD15P10PL GCT-ND SPD15P10PLGBTMA1CT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1490pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
Descrizione dettagliata | P-Channel 100V 15A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |