CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSSM3K303T(TE85L,F)
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SSM3K303T(TE85L,F)
- Mega fonte #: MEGA-SSM3K303T(TE85L,F)
- fabbricante: TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
- Confezione: Cut Tape (CT)
- Descrizione: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 55754
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SSM3K303T(TE85L,F)
| Vgs (th) (max) a Id | 2.6V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TSM |
| Serie | π-MOSVII |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 83 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | SSM3K303T(TE85LF)CT |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3nC @ 4V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 2.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta) |
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