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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard PDTA123ET,215
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
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Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Potenza - Max | 250mW |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Altri nomi | 1727-1691-1 568-11230-1 568-11230-1-ND |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |