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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IRF7341QTRPBF
Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
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Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
Serie | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 50 mOhm @ 5.1A, 10V |
Potenza - Max | 2.4W |
imballaggio | Original-Reel® |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Altri nomi | IRF7341QTRPBFDKR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione drain-source (Vdss) | 55V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A |
Numero di parte base | IRF7341QPBF |