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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard FDA69N25
Tensione - Prova | 4640pF @ 25V |
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Tensione - Ripartizione | TO-3PN |
Vgs (th) (max) a Id | 41 mOhm @ 34.5A, 10V |
Vgs (Max) | 10V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie | UniFET™ |
Stato RoHS | Tube |
Rds On (max) a Id, Vgs | 69A (Tc) |
Polarizzazione | TO-3P-3, SC-65-3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 6 Weeks |
codice articolo del costruttore | FDA69N25 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 100nC @ 10V |
Tipo IGBT | ±30V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5V @ 250µA |
Caratteristica FET | N-Channel |
Descrizione espansione | N-Channel 250V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN |
Tensione drain-source (Vdss) | - |
Descrizione | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 250V |
rapporto di capacità | 480W (Tc) |