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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard BQ4013YMA-120
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 120ns |
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Tensione di alimentazione - | 4.5 V ~ 5.5 V |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Contenitore dispositivo fornitore | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
Serie | - |
imballaggio | Tray |
Contenitore / involucro | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Altri nomi | 296-32844-5 BQ4013YMA-120-ND BQ4013YMA120 |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Formato di memoria | NVSRAM |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 120ns 32-DIP Module (18.42x42.8) |
Numero di parte base | BQ4013 |
Tempo di accesso | 120ns |