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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
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Tensione di alimentazione - | 2.5 V ~ 3.6 V |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Serie | - |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Altri nomi | MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR-ND MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:BTR |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Dimensione della memoria | 768Gb (96G x 8) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Formato di memoria | FLASH |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata | FLASH - NAND Memory IC 768Gb (96G x 8) Parallel 333MHz |
Frequenza dell'orologio | 333MHz |